A Samsung e IBM anunciaram em julho do ano passado que estavam trabalhando juntas no desenvolvimento de uma nova tecnologia de RAM não volátil que chega a ser até 100 mil vezes mais rápida do que a memória flash NAND que atualmente é utilizada em dispositivos portáteis como smartphones.
Além de não se deteriorar com o tempo, a nova memória RAM também não gasta energia quando não está sendo utilizada, ao contrário da memória flash NAND. A nova tecnologia se chama magnetoresistive RAM (MRAM), e é produzida utilizando uma tecnologia chamada spin-transfer torque (STT).
Além de smartphones, a nova memória também poderá ser utilizada em produtos de baixíssimo consumo energético, já que ela não gasta energia quando não está sendo utilizada, por não ser uma memória volátil.
De acordo com novas informações que começaram a circular hoje, a Samsung irá apresentar a MRAM oficialmente em um evento que acontecerá no dia 24 de maio. Por lá, deve explicar todos os detalhes técnicos na novidade.
